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DINO
CURITIBA
Comprei uma série de componentes eletrônicos, chegaram no prazo e vieram todos separados e muito bem embalados, nota 10 para a Usinainfo. OBS: Fiz essa compra como uma forma de ajudar os irmãos do sul, mas agora virei cliente . Abraços.
SERGIO
SP/SP
Transistor IRF520N - MOSFET - Thumb 1
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Transistor IRF520N - MOSFET

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O Transistor IRF520N é um dispositivo eletrônico de grande utilidade conhecido como MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) do tipo canal N. Com uma tensão máxima de dreno-fonte de 100V e capacidade de corrente contínua de até 9.7A, ele se destaca por sua capacidade de controlar cargas de alta potência de forma eficiente. Sua baixa resistência no estado ligado, em torno de 0.27 ohms a uma tensão de porta (Vgs) de 10V, o torna um componente valioso para aplicações de comutação, como acionamento de motores e lâmpadas.

O IRF520N também é notável por sua versatilidade, encontrando aplicação em diversas áreas da eletrônica. Além de seu uso como interruptor de alta potência, ele pode ser empregado como amplificador de tensão em certas configurações de circuitos. Seu limiar de tensão de porta (Vgs(th)) entre 2V e 4V o torna facilmente controlável por circuitos de lógica e microcontroladores. Por meio da técnica de modulação por largura de pulso (PWM), ele pode realizar controle preciso de intensidade luminosa em lâmpadas e regular a velocidade de motores.

Ao empregar o Transistor IRF520N, é importante levar em consideração fatores como a correta tensão de controle na porta, a capacidade de acionamento da mesma, a dissipação de calor e a proteção contra sobretensões. Referências ao datasheet e cuidados de projeto são essenciais para garantir o desempenho ideal e a confiabilidade em aplicações específicas.

 

CARACTERÍSTICAS:

- Transistor IRF520N Mosfet;
- Amplificador e interruptor de sinais elétricos;
- Excelente relação custo x benefício;
- Ideal para:
   - Circuitos de Comutação ;
   - Amplificação de Sinais;
   - Acionamento de cargas (Motores, Lâmpadas, entre outros);
- Uso com PWM: Ideal para modulação por largura de pulso.
- Datasheet Transistor IRF520N.

ESPECIFICAÇÕES:

- Modelo: IRF520N;
- Tipo: MOSFET de canal N
- Encapsulamento: TO-220;
- Tensão Máxima Dreno-Fonte (Vds): 100V;
- Corrente Contínua de Dreno (Id): 9.7A;
- Temperatura de Operação: -55°C a 175°C;
- Dimensões Corpo (CxLxA): 16x10x4,5mm;
- Comprimento Total (Com Terminais): 28,5mm;
- Peso: 2g.

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